Nom du produit:N dactylographient le transistor
V tension de Drain-source de SAD:-30 V
V tension de Porte-source de GSS:±20 V
Nom du produit:Transistor à effet de champ de MOS
V tension de Drain-source de SAD:-100 V
V tension de Porte-source de GSS:±20 V
Nom du produit:Transistor à effet de champ
V tension de Drain-source de SAD:40V
V tension de Porte-source de GSS:±20 V
Nom du produit:transistor de puissance élevée
V tension de Drain-source de SAD:40 V
V tension de Porte-source de GSS:±20 V
Nom du produit:Transistor à effet de champ de MOS
V tension de Drain-source de SAD:-60 V
V tension de Porte-source de GSS:±20 V