Détails sur le produit:
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Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Type: | Transistor de transistor MOSFET |
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Identité de produit: | 20G04S | VDS: | 40V |
Caractéristiques: | Paquet extérieur de bâti | VGS: | ±20V |
Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 20G04S 40V N+P-Channel
Description
Le fossé avancé des utilisations 20G04S
technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte.
Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former a
le niveau a décalé le commutateur latéral élevé, et pour un centre serveur d'autre
applications
Caractéristiques générales
N-canal
VDS =40V, ID =20A
RDS(DESSUS)< 35m=""> GS=10V
RDS(DESSUS)< 42m=""> GS=4.5V
P-canal
VDS =-40V, ID = -18A
RDS(DESSUS)<40m> GS=-10V
RDS(DESSUS)< 70m=""> GS=-4.5V
Puissance élevée et capacité de remise actuelle
Le produit sans plomb est acquis
Paquet extérieur de bâti
Application
Application de commutation de puissance de ●
Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●
Alimentation d'énergie non interruptible de ●
Inscription et information de commande de paquet
Personne à contacter: David