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Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

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—— -- Виктор de Russie

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Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N

Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N
Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N

Image Grand :  Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: HXY2302Z
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Transistor de transistor MOSFET de puissance: SOT-23 Plastique-s'encapsulent
TJ: 150℃ Numéro de modèle: HXY2302Z
Le RDS (DESSUS) < 23mΩ: (VGS = 10V) Type: Transistor de transistor MOSFET
Surligner:

transistor à forte intensité

,

commutateur de transistor MOSFET de logique

SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET du N-canal 20-V (D-S) des TRANSISTORS MOSFET HXY2302Z

 

 

Résumé de produit

 
Le RDS (dessus)<60m>
Le RDS (dessus)<73m>
ID=2.3A
VDSS=20V
 
 
Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 
Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N 0
 
 
T =25 un ℃ sauf indication contraire
 
Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N 1
 
Caractéristique typique
 
 
Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N 2Transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) du transistor à effet de champ de MOS de HXY2302Z N 3
 

Produit Tag:

commutateur de transistor MOSFET de logique,

conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor,

transistor à forte intensité

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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À propos

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