Détails sur le produit:
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Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | La température de jonction :: | 150℃ |
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Matériau: | de silicium | Numéro de modèle: | HXY4264 |
Affaire: | Bande/plateau/bobine | Type: | Transistor de transistor MOSFET |
Surligner: | commutateur de transistor MOSFET de logique,conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor |
Résumé de produit
VDS | 60V |
Identification (à VGS=10V) | 13.5A |
Le RDS (DESSUS) (à VGS=10V) | < 9=""> |
Le RDS (DESSUS) (à VGS=4.5V) | < 13=""> |
Description générale
Technologie d'AlphaSGTTMde puissance de fossé
Bas RDS(DESSUS)
Basse charge de porte
Applications
Alimentation d'énergie de rendement élevé
Redresseur secondaire de synchronus
Caractéristiques électriques (T =25°C sauf indication contraire)
A. La valeur duθJAde R est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec TA =25°C.
la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.
B. La dissipation de puissance PD est basée sur TJ(max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s.
C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ(max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder
initialT =25°C.
D. LeθJAde R est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener leθJLde R et à mener à ambiant.
E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>
F. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique jonction-à-ambiante avec laquelle est mesuré avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4
2oz. Cuivrez, en supposant qu'une température de jonction maximum de TJ(max) =150°C. la courbe de SOA fournit une estimation simple d'impulsion.
G. Le coefficient d'utilisation de transitoire 5% maximum, limité par la température de jonction TJ (max) =125°C.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES
Personne à contacter: David