Détails sur le produit:
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VCBO: | 40V | VCEO: | 30V |
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VEBO: | 6v | Nom du produit: | type de triode de semi-conducteur de silicium |
IC: | 3A | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | TO-92 Plastique-s'encapsulent |
Surligner: | transistor de pnp d'astuce,transistor de pnp de puissance élevée |
TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors D882S (NPN)
Dissipation de puissance
REPÉRAGE
Code de D882=Device
Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal
Z=Rank de hFE, XXX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
D882S | TO-92 | Le volume | 1000pcs/Bag |
D882S-TA | TO-92 | Bande | 2000pcs/Box |
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
Symbole | Mètre de Para | Valeur | Unité |
VCBO | Tension de collecteur-base | 40 | V |
VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 30 | V |
VEBO | Tension d'Émetteur-base | 6 | V |
IC | Courant de collecteur - continu | 3 | A |
PD | Dissipation de puissance de collecteur | 625 | mW |
R0 JA | Le courant ascendant résistent à la jonction de ROM de l'ance f à ambiant | 200 | Š/W |
Tj | La température de jonction | 150 | Š |
Tstg | La température d'orage de St | -55 ~+150 | Š |
Merci =25 Š sauf indication contraire
Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC = 100µA, C.-À-D. =0 | 40 | V | ||
Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.-À-D. = 100µA, IC=0 | 6 | V | ||
Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= 40V, C.-À-D. =0 | 1 | μA | ||
Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE= 30V, IB=0 | 10 | μA | ||
Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= 6V, IC=0 | 1 | μA | ||
Gain actuel de C.C | hFE | VCE=2V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
Fréquence de transition |
fT |
VCE= 5V, Ic=0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
Mégahertz |
Rang | R | O | Y | LE GR |
Gamme | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
D1 | 3,430 | 0,135 | ||
E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
0 | 1,600 | 0,063 | ||
h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Personne à contacter: David