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2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP
2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

Image Grand :  2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 2SA1015
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

description de
Nom du produit: type de triode de semi-conducteur Application: l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
Matériau: de silicium tension d'Émetteur-base: 6v
Affaire: Bande/plateau/bobine VCBO: -50V
Surligner:

transistor de pnp d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2SA1015 (PNP)

 

 

 

CARACTÉRISTIQUE

Dissipation de puissance de Ÿ

 

 

 

REPÉRAGE

Code d'A1015=Device

Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal

Y=Rank de hFE, XXX=Code

2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP 0

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
2SA1015 TO-92 Le volume 10000
2SA1015-TA TO-92 Bande 2000

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25Š sauf indication contraire)

 

Symbole Mètre de Para Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -50 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -50 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant de collecteur - continu -150 mA
PD Dissipation de puissance de collecteur 400 mW
R0 JA Le courant ascendant résistent à l'ance de la jonction à ambiant 312 Š/W
Tj La température de jonction 150 Š
Tstg La température d'orage de St -55 ~+150 Š

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC= -100ΜA, C.-À-D. =0 -50     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= -0.1MA, IB=0 -50     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = -100ΜA, IC=0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= -50V, C.-À-D. =0     -0,1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE= -50V, IB=0     -0,1 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= -5V, IC=0     -0,1 µA
Gain actuel de C.C hFE VCE= -6V, IC= -2MA 70   700  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC= -100MA, IB= -10MA     -0,3 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC= -100MA, IB= -10MA     -1,1 V
Fréquence de transition fT VCE= -10 V, IC= -1mA f =30MHz 80     Mégahertz
Capacité de sortie de collecteur Épi VCB=-10V, C.-À-D. =0, f=1MHz     7 PF
Chiffre de bruit N-F VCE= -6 V, IC= -0.1mA, f =1kHz, RG=10kK     6 DB

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Rang O Y LE GR BL
Gamme 70-140 120-240 200-400 350-700

 
 
Caractéristiques typiques
 
2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP 1

2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP 2

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 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
 
2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP 5


Disposition de protection suggérée par TO-92
2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP 6

 

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

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2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP 9

 

Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

transistor de pnp d'astuce

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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