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Type de triode de semi-conducteur de silicium de transistors de puissance d'astuce de TO-92 A42

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Type de triode de semi-conducteur de silicium de transistors de puissance d'astuce de TO-92 A42

Type de triode de semi-conducteur de silicium de transistors de puissance d'astuce de TO-92 A42
Type de triode de semi-conducteur de silicium de transistors de puissance d'astuce de TO-92 A42

Image Grand :  Type de triode de semi-conducteur de silicium de transistors de puissance d'astuce de TO-92 A42

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: TO-92 A42
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Type de triode de semi-conducteur de silicium de transistors de puissance d'astuce de TO-92 A42

description de
VCBO: 310V VCEO: 305V
VEBO: 5V Nom du produit: type de triode de semi-conducteur de silicium
TJ: 150℃ Affaire: Bande/plateau/bobine
Surligner:

transistors de série d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A42 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Haute tension

 

 

REPÉRAGE

  • Code d'A42=Device
  • Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal
  • Z=Rank de hFE
  • XXX=Code

 

Type de triode de semi-conducteur de silicium de transistors de puissance d'astuce de TO-92 A42 0

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
A42 TO-92 Le volume 10000
A42-TA TO-92 Bande 2000


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 310 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 305 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 V
I C Collecteur Curren t - continu 200 mA
I CM Courant de collecteur - pulsé 500 mA
PC Dissipation de puissance de collecteur 625 mW
TJ La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55-150 ℃
RӨJA Résistance thermique, jonction à ambiant 200 ℃ /mW
RӨJC Résistance thermique, jonction au cas 83,3 ℃ /mW

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=100uA, C.-À-D. =0 310     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=1mA, IB=0 305     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =100ΜA, IC=0 5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=200V, C.-À-D. =0     0,25 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 μA

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 80   250  
hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=20mA, IB=2mA     0,2 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=20mA, IB=2mA     0,9 V
Fréquence de transition fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHZ 50     Mégahertz

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

RANG A B C
GAMME 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Caractéristiques typiques

 

 

Type de triode de semi-conducteur de silicium de transistors de puissance d'astuce de TO-92 A42 1

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 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

transistor de pnp d'astuce

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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