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Aperçu ProduitsTransistor de puissance de silicium

Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA
Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

Image Grand :  Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: MMBTA44
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

description de
La température de jonction: ℃ 150 Type: Transistor de triode
Application: l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur Matériau: de silicium
Courant de collecteur: 600 mA La température de stockage: -55~+150℃
Surligner:

transistor de commutateur électrique

,

transistors de transistor MOSFET de puissance

SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors MMBTA44 (NPN)
 

CARACTÉRISTIQUE
 

 Transistor de commutation

Repérage : 2X

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 60 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 40 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur 600 mA
PC Dissipation de puissance de collecteur 300 mW
RΘJA Résistance thermique de jonction à ambiant 417 ℃/W
Tj La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55~+150 ℃

 
 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=100μA, C.-À-D. =0 60     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=1mA, IB=0 40     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =100ΜA, IC=0 6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=50V, C.-À-D. =0     0,1 μA
Courant de coupure de collecteur ICEX VCE=35V, VEB=0.4V     0,1 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 μA

 

 

 

Gain actuel de C.C

 hFE1 VCE=1V, IC=0.1mA 20      
  hFE2 VCE=1V, IC=1mA 40      
  hFE3 VCE=1V, IC=10mA 80      
  hFE4 VCE=1V, IC=150mA 100   300  
  hFE5 VCE=2V, IC=500mA 40      

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

 

VCE (reposé)

 IC=150mA, IB=15mA     0,4 V
    IC=500mA, IB=50mA     0,75 V

 

Tension de saturation d'émetteur de base

 

VBE (reposé)

 IC=150mA, IB=15mA     0,95 V
    IC=500mA, IB=50mA     1,2 V
Fréquence de transition fT VCE=10V, IC=20mA, f =100MHz 250     Mégahertz
Temps de retard td

VCC=30V, VBE () =-2V

IC=150mA, IB1=15mA

     15 NS
Temps de montée tr       20 NS
Temps d'entreposage ts

VCC=30V, IC=150mA

IB1=IB2=15mA

     225 NS
Temps de chute tf       60 NS

 
 
 

Mesuré dans des conditions pulsées, impulsion width=300μs, devoir cycle≤2%.
 
 
 
Characterisitics typique  
 
 Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 0

Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 1

Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 2

Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 3

 
 
 
 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 
 
Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 4
Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 5
Courant de collecteur de transistor de puissance de silicium de SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 6
 
 
 
 

Produit Tag:

transistors de transistor MOSFET de puissance,

transistor de commutateur électrique,

transistor à haute fréquence

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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