|
Détails sur le produit:
|
| Type: | Transistor de puissance de silicium | D'entité: | Basse sur-résistance équivalente |
|---|---|---|---|
| Tension de collecteur-émetteur: | 60V | La température de stockage: | -55~+150℃ |
| Dissipation de puissance de collecteur: | 250mW | Courant maximal d'impulsion: | 2A |
| Surligner: | transistor à haute fréquence,transistors de transistor MOSFET de puissance |
||
SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors FMMT491 (NPN)
Basse sur-résistance équivalente
ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 80 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 60 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | 5 | V |
| IC | Courant de collecteur | 1 | A |
| Missile aux performances améliorées | Courant maximal d'impulsion | 2 | A |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | 250 | mW |
| RΘJA | Résistance thermique de jonction à ambiant | 500 | ℃/W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=100μA, C.-À-D. =0 | 80 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | V PRÉSIDENT (DE BR)1 | IC=10mA, IB=0 | 60 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.-À-D. =100ΜA, IC=0 | 5 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=60V, C.-À-D. =0 | 0,1 | μA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE=5V, IC=1mA | 100 | |||
| hFE (2) 1 | VCE=5V, IC=500mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) 1 | VCE=5V, IC=1A | 80 | ||||
| hFE (4) 1 | VCE=5V, IC=2A | 30 | ||||
Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) 1 1 | IC=500mA, IB=50mA | 0,25 | V | ||
| VCE (reposé) 2 1 | IC=1A, IB=100mA | 0,5 | V | |||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) 1 | IC=1A, IB=100mA | 1,1 | V | ||
| Tension d'émetteur de base | 1 VBE | VCE=5V, IC=1A | 1 | V | ||
| Fréquence de transition | pi | VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz | 150 | Mégahertz | ||
| Capacité de sortie de collecteur | Épi | VCB=10V, f=1MHz | 10 | PF |
Mesuré dans des conditions pulsées, impulsion width=300μs, devoir cycle≤2%.
Characterisitics typique
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TYPES | 0,037 TYPES | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 RÉFÉRENCES | 0,022 RÉFÉRENCES | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Personne à contacter: David
