Détails sur le produit:
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Nom du produit: | Transistor à effet de champ de MOS | D'entité: | Temps rapide de commutation |
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V DS: | 30V | 9,5 A: | (Vgs= 10V) |
mΩ 12,9: | (Vgs= 10V) | mΩ 19,3: | (Vgs= 4.5V) |
Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique
Description de transistor à effet de champ de MOS
Le transistor à effet de champ de MOS sont utilisés dans les beaucoup alimentation d'énergie et applications de puissance générale, particulièrement comme commutateurs. La variante s incluent les transistors MOSFET planaires, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs et d'autres différentes marques.
Caractéristique de transistor à effet de champ de MOS
N- La Manche P - la Manche
Vds = 30V Vds = -30V
9,5 A (Vgs= 10V) - 8 A (Vgs= -10V)
mΩ 12,9 de mΩ (Vgs= 10V) 21,6 (Vgs= -10V)
mΩ 19,3 de mΩ (Vgs= 4.5V) 40,0 (Vgs= -4.5V)
avalanche 100% de examinée
fiable et rocailleux
halogène de libre et dispositifs verts disponibles
(RoHS conforme)
Applications de transistor à effet de champ de MOS
Redresseurs synchrones
Puissance sans fil
commande de moteur de H-pont
L'information de commande et de repérage
S
G170C03
Code de paquet
S : SOP8L
Code de date
Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de 100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis.
Capacités absolues
Caractéristiques du fonctionnement N-transistor MOSFET typiques
Personne à contacter: David