Détails sur le produit:
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Tension de collecteur-base: | -310V | Type: | Transistor de triode |
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Affaire: | Bande/plateau/bobine | Matériau: | de silicium |
Courant de collecteur: | -200 mA | Dissipation de puissance de collecteur: | 500mW |
Surligner: | transistor à haute fréquence,transistor de commutateur électrique |
SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A92 (NPN)
Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
Tension claque élevée
ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
VCBO | Tension de collecteur-base | -310 | V |
VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -305 | V |
VEBO | Tension d'Émetteur-base | -5 | V |
IC | Courant de collecteur continu | -200 | mA |
Missile aux performances améliorées | Courant de collecteur - pulsé | -500 | mA |
PC | Dissipation de puissance de collecteur | 500 | mW |
RθJA | Résistance thermique de jonction à ambiant | 250 | ℃/W |
Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=-100ΜA, C.-À-D. =0 | -310 | V | ||
Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=-1mA, IB=0 | -305 | V | ||
tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.-À-D. =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
Courant de coupure de collecteur |
ICBO | VCB=-200V, C.-À-D. =0 | -0,25 | µA | ||
ICEO |
VCE=-200V, IB=0 | -0,25 | µA | |||
VCE=-300V, IB=0 | -5 | µA | ||||
Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=-5V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
Gain actuel de C.C |
hFE (1) | VCE=-10V, IC=-1mA | 60 | |||
hFE (2) | VCE=-10V, IC=-10mA | 100 | 300 | |||
hFE (3) | VCE=-10V, IC=-80mA | 60 | ||||
Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) | IC=-20mA, IB=-2mA | -0,2 | V | ||
Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=-20mA, IB=-2mA | -0,9 | V | ||
Fréquence de transition | fT | VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz | 50 | Mégahertz |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
A | 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 |
b | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
b1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
c | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
D | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
D1 | 1,550 Réf. | 0,061 Réf. | ||
E | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
E1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
e | 1,500 TYPE. | 0,060 TYPES. | ||
e1 | 3,000 TYPE. | 0,118 TYPES. | ||
L | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
Bande et bobine de SOT-89-3L
Personne à contacter: David