Détails sur le produit:
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Type: | Transistor de puissance de silicium | D'entité: | Basse sur-résistance équivalente |
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Tension de collecteur-émetteur: | 60V | La température de stockage: | -55~+150℃ |
Dissipation de puissance de collecteur: | 250mW | Courant maximal d'impulsion: | 2A |
Surligner: | transistor à haute fréquence,transistors de transistor MOSFET de puissance |
SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors FMMT491 (NPN)
Basse sur-résistance équivalente
ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
VCBO | Tension de collecteur-base | 80 | V |
VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 60 | V |
VEBO | Tension d'Émetteur-base | 5 | V |
IC | Courant de collecteur | 1 | A |
Missile aux performances améliorées | Courant maximal d'impulsion | 2 | A |
PC | Dissipation de puissance de collecteur | 250 | mW |
RΘJA | Résistance thermique de jonction à ambiant | 500 | ℃/W |
Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=100μA, C.-À-D. =0 | 80 | V | ||
Tension claque de collecteur-émetteur | V PRÉSIDENT (DE BR)1 | IC=10mA, IB=0 | 60 | V | ||
tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.-À-D. =100ΜA, IC=0 | 5 | V | ||
Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=60V, C.-À-D. =0 | 0,1 | μA | ||
Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE=5V, IC=1mA | 100 | |||
hFE (2) 1 | VCE=5V, IC=500mA | 100 | 300 | |||
hFE (3) 1 | VCE=5V, IC=1A | 80 | ||||
hFE (4) 1 | VCE=5V, IC=2A | 30 | ||||
Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (reposé) 1 1 | IC=500mA, IB=50mA | 0,25 | V | ||
VCE (reposé) 2 1 | IC=1A, IB=100mA | 0,5 | V | |||
Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) 1 | IC=1A, IB=100mA | 1,1 | V | ||
Tension d'émetteur de base | 1 VBE | VCE=5V, IC=1A | 1 | V | ||
Fréquence de transition | pi | VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz | 150 | Mégahertz | ||
Capacité de sortie de collecteur | Épi | VCB=10V, f=1MHz | 10 | PF |
Mesuré dans des conditions pulsées, impulsion width=300μs, devoir cycle≤2%.
Characterisitics typique
Dimensions d'ensemble de paquet
Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
e | 0,950 TYPES | 0,037 TYPES | ||
e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
L | 0,550 RÉFÉRENCES | 0,022 RÉFÉRENCES | ||
L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Personne à contacter: David